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東工大院理 | 論文
- 23aGP-7 S=2籠目格子反強磁性体Cs_2Mn_3LiF_の^F-NMR(23aGP フラストレーション系,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aRB-4 散乱型ANSOM法によるGe/Si量子ドットの混晶効果の測定(22aRB 顕微・近接場光学,超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 21pPSB-49 チップ増強ラマン散乱分光法によるGeナノワイヤの観察(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22pGP-1 一次元量子sine-Gordonスピン系KCuGaF_6における励起ギャップの磁場依存性(22pGP 量子スビン系(一次元・クラスター系),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aRB-2 干渉法を用いた散乱型ANSOM法による金薄膜の複素誘電率の観測(22aRB 顕微・近接場光学,超イオン導電体・イオン伝導体,領域5(光物性))
- 21aRB-8 ZnSe薄膜の四光波混合信号に見られる励起子ポラリトンのスペクトル変動(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 23aTN-12 四励起子の束縛状態によるカスケード遷移過程(23aTN 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 21pPSA-40 InGaN薄膜のバンド間励起発光ダイナミクスにおけるチップ増強効果(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aED-2 静磁波におけるBerry曲率(22aED スピントロニクス(スピン流・スピン蓄積・スピン波・スピンホール効果),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aGB-4 β型パイロクロア酸化物超伝導体の混晶物質K_Rb_Os_2O_6における圧力効果(23aGB パイロクロア・フラストレート系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23aGB-3 β型パイロクロア酸化物の高圧下における強結合超伝導状態と非調和性の増大(23aGB パイロクロア・フラストレート系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pEA-6 電子衝撃によるCOS分子の一般化振動子強度の測定(21pEA 原子分子(電子衝撃・エキゾチックアトム・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21pEA-3 C_4F_6分子の電子分光II(21pEA 原子分子(電子衝撃・エキゾチックアトム・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 24aGC-5 磁場中熱伝導率測定によるUPt_3の低エネルギー励起構造の観測(24aGC U系超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pEA-4 XF_4(X=C,Si,Ge)分子の低エネルギー電子分光(21pEA 原子分子(電子衝撃・エキゾチックアトム・陽電子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 22aTL-4 SiC上グラフェンにおける時間分解電気伝導測定(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pGM-9 三角格子反強磁性体Ba_3MSb_2O_9(M=Ni, Co)におけるフラストレーションと磁気秩序(21pGM 領域3,領域8合同招待講演,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pHA-4 規定された伝導度を示すπ共役単分子接合の探索(24pHA ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pHA-5 水素単分子接合における伝導電子による分子振動励起効果(24pHA ナノチューブ・ナノワイヤ・表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-113 S=1/2籠目格子反強磁性体(Rb_Cs_x)_2Cu_3SnF_の基底状態(21aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
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