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東工大院理工:JST-CREST | 論文
- 15aPS-17 半導体表面上の金属超薄膜からの STM 発光(領域 9)
- 28aWR-4 配列した金属微粒子表面からの表面プラズモン発光II(表面局所光学現象/表面界面ダイナミクス)(領域9)
- 22aPS-28 表面プラズモンによるInGaN/GaN量子井戸構造からの発光の増強効果(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22pYG-15 プラズモニック結晶からのSmith-Purcell放射(22pYG 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・顕微近接場分光,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 22pYG-14 プラズモニック結晶のSPPモード観察(22pYG 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・顕微近接場分光,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 24aYG-9 1次元プラズモニック結晶のハンド構造(フォトニック結晶,顕微・近接場分光,領域5,領域1合同講演,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aPS-72 六方格子プラズモニック結晶からの表面プラズモン発光IV(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aPS-74 金属フォトニック結晶からのSmith-Purcell放射II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 24aYG-9 1次元プラズモニック結晶のハンド構造(領域5,領域1合同講演 フォトニック結晶,顕微,近接場分光,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 24pYP-9 TEM-カソードルミネッセンス法によるZnSeのY_0発光の研究
- 24pPSA-4 Energy-filtering TEMを用いた金EELSの膜厚依存(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pPSB-54 超イオン導電体AgIを利用したAg細線の作製
- 24aPS-37 Si結晶の高角度入射-STEM像の定量解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Charge Ordering in the Geometrically Frustrated Spinel AlV_2O_4 : Condensed Matter: Electronic Properties, etc.
- 29pXD-5 InGaN/GaN量子井戸構造の局所発光とキャリアダイナミクス(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aYN-2 InGaN/GaN量子井戸構造中のIn組成揺らぎとキャリアのダイナミクス(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aYM-9 InGaN成長膜中の転位と発光分布(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 15aTJ-1 InGaN 成長膜中の転位の歪場と発光分布(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 17aTG-6 TEM-CLによるInGaN層の発光と格子欠陥
- 24pYP-8 TEM-CL法によるGaN結晶中の格子欠陥評価
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