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東工大像情報 | 論文
- 22aK-10 III-V族希薄磁性半導体(In,Mn)Asのゼーベック効果
- (Ga,Mn)Asの磁区構造および磁気輸送特性
- 磁性半導体における光誘起磁化の最近の進展
- Ga-As-Fe系薄膜における室温光磁化
- GaAs-Fe複合構造薄膜における光磁化の研究 : 微粒子の検出
- 21pTH-5 III-V 族希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の光電子分光 II
- 28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測
- 31pYH-11 III-V 族希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の光電子分光
- (Ga, Mn)Nの結晶成長と磁性 : 窒素プラズマMBE
- GaAs-Feグラニュラー膜のナノ構造同定と光磁性
- ポリジアセチレン薄膜の初期形成過程と三段階堆積法
- OME2000-43 ポリジアセチレン薄膜の分子線エピタキシーと光吸収による評価
- 30pPSA-25 有機無機複合型量子井戸物質の励起子スピン緩和と励起子非線形
- 極紫外線による分子の光イオン化断面積 : 原子分子
- 個人差を考慮した胃粘膜分光反射率からの病変部の検出
- 光活性化型物理現象法に用いる現像剤
- 光活性化型物理現像法における銀核とパラジウム核の比較
- ポリマ-マトリックス中でのキノンの光還元反応--分子内水素供与体の有無による反応性の比較
- 光により活性化する物理現像液--現像条件の基礎的検討
- 28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測