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東工大・像情報 | 論文
- GaAs-Fe複合構造薄膜における光磁化の研究 : 微粒子の検出
- 21pTH-5 III-V 族希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の光電子分光 II
- 28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測
- 31pYH-11 III-V 族希薄磁性半導体 Ga_Mn_xN の光電子分光
- (Ga, Mn)Nの結晶成長と磁性 : 窒素プラズマMBE
- GaAs-Feグラニュラー膜のナノ構造同定と光磁性
- ポリジアセチレン薄膜の初期形成過程と三段階堆積法
- OME2000-43 ポリジアセチレン薄膜の分子線エピタキシーと光吸収による評価
- カラー画像の視覚記憶による色変化
- 28pZH-4 紫外近接場光学顕微鏡による GaN 薄膜の観測
- 超伝導体/希薄磁性半導体接合の輸送特性(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
- マルチメディアストレージ(画像エレクトロニクス,映像情報メディア年報)
- 27pXG-11 p-InMnAs/n-InAs/Nb構造におけるスピン偏極電流の注入と検出(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pTX-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁化の光誘起才差運動(29pTX 領域4,領域5合同シンポジウム:光で探る半導体スピンダイナミクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 光による電荷・スピン注入に基づく磁化の制御
- 12aYC-8 横磁化測定による強磁性半導体の磁気異方性の研究(磁性半導体, 領域 4)
- 12pWB-8 (Ga, Mn) As 薄膜の交流磁化率と磁気異方性(化合物磁性, 磁性半導体・絶縁体, 実験技術開発, 磁気共鳴一般, 磁性一般, 領域 3)
- 27aYA-4 (Ga,Mn)As薄膜における[110]一軸磁気異方性とキャリア濃度の関係(磁性半導体)(領域4)
- 27aPS-41 (Ga,Mn)As薄膜におけるアニール効果の磁気伝導評価(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
- (Ga, Mn)As薄膜における磁気異方性のアニール効果
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