スポンサーリンク
東大生産研:東大ナノ量子機構 | 論文
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 次世代太陽光発電の展望 : 量子ドット太陽電池を中心にして
- C-4-1 ウェハ融着によるSi基板上1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 量子ドット太陽電池研究の展開
- 通信波長帯量子ドットを用いた励起子状態のコヒーレント制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 18pFB-7 Ge/SiGe2次元ホール系におけるランダウ準位交差の観測(18pFB 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展(半導体レーザ関連技術,及び一般)
スポンサーリンク