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東大生産研:東大ナノ量子機構 | 論文

• 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 21pHL-6 半導体キラルフォトニック結晶からの円偏光放射(21pHL 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 40G/100Gイーサネット標準に向けた省電力・高性能光I/O技術の開発(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
• 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 高Q値3次元フォトニック結晶ナノ共振器におけるレーザ発振(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ
• シリコン上1.3μm量子ドットレーザ--光LSI融合システム構築に向けて
• 25pXG-2 強磁性電極/半導体量子ドット/非磁性電極ナノ構造におけるスピンプロッケイド効果(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aTH-2 単一自己形成InAs量子ドットのスピン依存伝導特性(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• ウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 22aWB-2 強磁性電極/半導体量子ドットからなる単電子トランジスタのスピン伝導特性(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
• 20aRC-9 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットの伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXH-10 強磁性電極を用いた単一InAs量子ドットにおけるスピン伝導(23pXH 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
• 量子ドット・フォトニック結晶ナノレーザー : 単一人工原子レーザーを中心にして
• 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
• 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)

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