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東大物工:CREST-JST | 論文
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- 23pXB-4 第一原理計算によるSi/Ge膜中の転位の原子・電子構造(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
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- 22aXJ-6 第一原理計算によるGe/Si(001)の歪緩和と転位に関する研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
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