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東大低温センター | 論文
- 3p-N-3 強磁場下でのn-InSbの不純物伝導
- 16a-A-3 n-InSbの強磁場下における非線形伝導現象
- 28pXB-14 ペロブスカイトMn酸化物の多重臨界点付近における誘電率(Mn系 スピン電荷軌道結合)(領域8)
- 27p-YG-1 微少2重トンネル接合系の磁気クローン振動
- 28a-YN-7 希薄磁性半導体トンネル接合 : GaMnAs/AlAs/GaMnAsにおける巨大トンネル磁気抵抗効果
- III-V族希薄磁性半導体GaMnAsのエピタキシャル成長と磁性・電気伝導特性 (磁性体物理)
- III-V族希薄磁性半導体GaMnAsのエピタキシャル成長とその伝導特性
- 21aWG-9 高分解能ARPESによるM_xCoO_2(M:Na,K,Rb)の電子構造とフェルミ面(21aWG Co系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
- 12p-K-5 5.不純物半導体の実験
- 14a-E-2 速中性子照射によって補償したSi:Pの伝導
- 30a-HE-4 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在II
- 27a-HE-2 金属微粒子を用いた熱交換器の作製
- 29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
- 2p-H-7 超伝導微粒子の核断熱消磁 II
- 2a-C-3 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在
- 1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
- 1a-Pβ-17 金属型Ge:Sbの低温磁気抵抗
- 1p-L-3 微粒子薄膜の電気伝導II
- 30a-K-11 中間濃度域Ge:Sbの低温電気伝導