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東大ナノ量子機構:東大生産研 | 論文
- 単一量子ドット-フォトニック結晶ナノ共振器レーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
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- 24aTH-3 2次元チャネルによるInAs自己形成ドットのコンダクタンススペクトロスコピー(量子ドット(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- フォトニック結晶ナノ共振器によるシリコンの発光増強
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ (光エレクトロニクス)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ (電子部品・材料)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ (機構デバイス)
- 量子ドット・フォトニック結晶ナノレーザー--単一人工原子レーザーを中心にして (半導体光源の最前線)
- 23pTM-12 シリコン量子ドットにおけるスピン効果と磁場依存性(23pTM 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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