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東北大 科研 | 論文
- 4a-A-10 種々の安定化ジルコニアの電子回折パターンと局所構造
- 4p-B3-4 収束電子回折法による六方晶BaTiO_3の中間相における空間群の決定
- 4p-A3-4 収束電子回折による微小な転位ループの観察
- 29p-A-10 コンピュータ・シミュレーションによる収束電子回折図形の対称性の研究
- 29p-A-9 収束電子回折図形のシミュレーション
- 26a-F-2 Ag_2S_Tex(0.2≦x≦0.6)の短範囲規則構造
- 26a-F-1 Bi_2O_3-Nb_2O_5系酸化物イオン導電体の格子変調
- 27p-K-14 収束電子回折法による転位対と転位ループの観察
- 27p-K-13 収束電子回折法による拡張転位の観察
- T. Imura, S. Maruse and T. Suzuki 編: Electron Microscopy; Proceedings of the 11th International Congress, Kyoto, 1986, Vols. 1〜4, Japanese Society of Electron Microscopy, Tokyo, 1986, 4冊, 26.5×19.5cm.
- 一次元準結晶の回折図形の解釈(クエイサイクリスタルの構造と物性,科研費研究会報告)
- 2p-N-8 Bi_2O_3-Nb_2O_5系におけるincommensurate構造
- 4a-B-1 収束電子回折法によるMnSiの左右晶の判断
- 4a-M-10 収束電子回折:回折対称の上昇II(水平な疑似鏡映面)
- 2p-TC-8 Bi_2O_3-Nb_2O_5系,Bi_2O_3一Y_2O_3系の結晶構造
- 27aYQ-1 収束電子回折法によるα^1-NaV_2O_5室温相および低温相の空間群の決定
- Ge濃度を制御したSi_Ge_xの格子定数測定
- 収束電子回折法によるSiの電子密度分布解析
- 24pYK-10 収束電子回折法によるBaTiO_3強誘電相の静電ポテンシャル分布解析(24pYK 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Local lattice parameter determination of a silicon (001) layer grown on a sapphire (1102) substrate using convergent-beam electron diffraction
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