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東北大院理 | 論文
- 19pPSA-80 GdB_6の磁場下中性子、X線回折(領域8ポスターセッション(f電子系統II),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aTG-4 クラスレート化合物Ba_Ge_とAg_6O_8AgNO_3におけるNMR(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
- Surface structures of In Adsorption on the Si(001)2x1 Surface Studied by Synchrotron Radiation Photoelectron Diffraction
- 31a-S-1 光電子分光及び飛行時間分析型中エネルギーイオン散乱によるCe/Ni(110)表面層の研究
- 29p-GH-7 衝撃波遅延管の特性
- 3a-Q-6 K-Rb-,K-Cs合金系の極紫外吸収スペクトルと吸収端異常
- 25pZK-1 はじめに(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aRD-1 Si(110)-(16×2)表面の電子状態(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXB-8 窒素吸着銅(001)表面上のC_吸着構造 II(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aRJ-7 スピン軌道結合により分裂したTl/Si(111)の表面電子バンド(24aRJ 領域9,領域3合同シンポジウム 反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24aRJ-7 スピン軌道結合により分裂したTl/Si(111)の表面電子バンド(反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道,領域9,領域3合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-102 In/Si(111)-(4×1)表面上に形成したC_超薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pXJ-5 Si(111)表面上に形成したGdシリサイド超薄膜の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-13 Si(111)表面上に形成したDyシリサイド薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-12 ペンタセン超薄膜の電子構造(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pWB-2 Yb/Si(001)2×3表面における電子状態および構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24aPS-124 Yb吸着によりSi(111)表面上に誘起された(3×2)超構造の電子状態(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-46 光電子回折による温度に依存した Ag/Si(111)-(√×√) の表面構造の研究(領域 9)
- 27pPSA-23 X線光電子回折によるCa/Si(111)-(3×2)表面の構造の研究(領域9ポスターセッション)(領域9)
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