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東北大院・理 | 論文
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- 28a-YC-11 Si_xGe_バルク単結晶の正・逆光電子分光
- 金属超薄膜における量子サイズ効果 : 光電子分光II
- NdB_6(110)清浄表面の光電子分光II
- NdB_6(110)清浄表面の光電子分光I
- CeB_6の真空紫外逆光電子分光
- 31p-PSB-58 金属超薄膜における量子サイズ効果:光電子分光
- 31p-PSB-27 Ge/Si(001)初期界面における相互拡散
- 三元系セリウム化合物の物質探索と単結晶の純良化
- 28a-W-13 エネルギー分散型VUV逆光電子分光装置
- 27a-W-14 MBE-光電子分光複合装置の建設
- 29a-J-7 Surface structure analysis of Si(001)2×2-In and 2×3-In by x-ray photoelectron diffraction
- 28p-YQ-12 単結晶Si_xGe_のXPSスペクトル
- 5a-Q-4 Submonolayer Growth of Al on a Single-domain Si(001)-2×1 : A LEED and XPS Study
- 4a-F-18 ウラン薄膜の光電子分光
- 31p-WC-2 XPDによる表面偏析Geエピタキシャル成長機構の解析 : Sb/Ge/Si(001)
- 13a-PS-5 オ-ジェ電子回折法によるGe吸着Si(001)表面の構造解析
- 25p-Z-2 W(100) c(2×2)-Au, Ag表面のXPD
- 30p-E-2 ウラン化合物の内殻線形状の非対称性
- 30p-E-1 ウラン化合物U_3T_3X_4(T=Ni, Cu;X=Sn, Sb)のXPS, X-BISスペクトル