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東北大学WPI-AIMR | 論文
- 高周波MEMSのためのルテニウム微小電極パターンの作製法
- 圧電・超音波材料 圧電音響デバイスの集積化 : 異種要素の集積化による圧電音響デバイスの高機能化・高性能化
- LTCC基板によるMEMSウエハレベルパッケージング技術 (特集 MEMSパッケージングと微細加工技術)
- 配列ナノ空間物質の物性
- Al_2O_3-RuO_xハイブリッド膜の原子層堆積プロセスの開発とMEMSマイクロチャネルプレートへの応用可能性の検討
- 27aXS-4 反強磁性体NiO中転位における強磁性(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- MP-17 面内方向駆動型圧電MEMSスイッチのためのSi鋳型を用いた高アスペクト比PZT構造体の作製法の開発(ポスターセッション)
- 25pDD-9 密度汎関数法によるEuおよびMgを同時ドーピングしたGaNの電子状態計算(量子井戸・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 6aSB-6 高圧下におけるβホウ素の第一原理計算(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
- 24pSA-14 圧力下におけるβホウ素の第一原理計算(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 内包空間を有する物質の構造多様性と機能性探索
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