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東北大学電気通信研究所附属ナノ・スピン実験施設 | 論文
- 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
- 17aYH-9 走査SQUID顕微鏡による(Ga,Mn)Asの磁区構造観察 : 光照射効果
- 22aK-12 走査SQUID顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga,Mn)Asの磁区構造観察
- 24aC-3 希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区構造観察
- 29p-ZE-3 走査型ホール素子顕微鏡による希薄磁性半導体(Ga, Mn)Asの磁区観察
- (Ga, Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転
- 24aC-8 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化
- 28a-YN-8 (Ga,Mn)Asにおける異方性磁気抵抗およびバルクハウゼンジャンプ
- 25pRP-3 強磁性半導体における磁気輸送現象とその制御(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 28aTB-2 希薄磁性半導体GaMnAsの磁場下における遠赤外吸収スペクトル
- 22aK-5 希薄磁性半導体GaMnAsにおける遠赤外吸収スペクトルの温度変化II
- 22aWB-7 強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおける磁壁のクリープ運動(実験)(微小領域磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- (Ga,Mn)As・(In,Mn)Asにおける磁性の電界制御
- 強磁性半導体トンネル接合におけるスピン注入磁化反転(磁化反転の新たな描像)
- 27aYP-5 強磁性半導体保磁力パターニング構造における電流誘起磁壁移動(主題:磁性ナノ構造における電流誘起磁壁移動,領域3シンポジウム,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピントロニクスの材料戦略
- スピントロニクスの材料戦略 (ミニ特集 電子・情報材料 材料戦略)
- 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
- 30pWD-5 III-V 族強磁性半導体とそのヘテロ構造ベースのデバイス創製
- 半導体中のスピン制御とスピンコヒーレンス
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