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東北大学電気通信研究所:JST-CREST | 論文
- HEMT構造2次元プラズモン共鳴型エミッターからのテラヘルツ帯電磁波放射(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-4-4 無給電素子一体型ダイポールアンテナを用いたAlGaN/GaNプラズモン共鳴テラヘルツデテクタ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-10-2 Si(001)基板上におけるグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- グラフェンチャネルトランジスタ
- 光励起グラフェンの非平衡キャリア緩和過程とテラヘルツ帯における反転分布(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-16 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-15 ダイヤモンドライクカーボン薄膜をトップゲート絶縁膜としたグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 光学励起グラフェンのテラヘルツ誘導増幅放出(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 非対称二重回折格子状ゲート電極を有するInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いた超高感度プラズモニックテラヘルツ波検出器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- グラフェンリボン格子における二次元プラズモンモードの観測(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- テラヘルツ波検出GaNトランジスタの開発
- グラフェンテラヘルツ波レーザーの創出に向けて
- ダイヤモンドライクカーボン絶縁膜を用いたグラフェンFET(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- C-10-5 テラヘルツ領域における金属メッシュ構造の反射特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)