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東北大学際 | 論文
- 光エネルギー変換を目的としたストラティファイド薄膜の作製
- ストラティファイド半導体微粒子光触媒の構造と触媒反応機構
- 溶液析出法によるCds薄膜光触媒の調製と反応活性
- ポリオールプロセスを用いた金属微粒子の製造およびサイズ制御
- 31a-YX-8 カーボンナノチューブのFEMとFIM
- 25aYM-10 電子照射によるシリコン中の水素・アクセプター対の消滅(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 27p-N-7 シリコン表面上への酸化エルビウム膜成長とその発光
- 29a-RC-6 シリコンの格子振動と正孔の相互作用 : Fano効果
- 半導体ストラティファイド素材の物性と電子的機能 (特集 ストラティファイド素材)
- 原子数をそろえた1nm半導体粒子の特徴と展望
- 30aYQ-11 磁性金属微粒子のトンネル発光円偏光度空間分布
- 24pWS-3 高品位水素終端Si(110)-(1×1)表面の開発と表面フォノン(24pWS 表面ダイナミクス・水素,ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-30 構成原子数まで揃った1nm-CdSeナノ粒子の成長に伴う発光強度の顕著な増大(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pTE-6 NMRを用いた1nm台(CdSe)_nナノ粒子の異なるnに対する構造解析(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXB-6 単一表面サイトからなる中空な(CdSe)_nナノ粒子(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXK-3 (CdSe)nナノ粒子の構造と光物性(微粒子・クラスタ,水素ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pTG-7 水溶液中で作製した(CdSe)_nの光吸収(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20pTG-8 NMRによる(CdSe)_粒子の解析(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 17aRF-17 シクロデキストリン中のアントラセン・ダイマーのエキシマー状態 I : 実験
- 金属イオンドープ型ZnO光触媒の調製とそれを用いた光エネサギー変換
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