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東京工業大学精密工学研究所フォトニクス集積システム研究センター | 論文
- C-3-16 サブ波長回折格子を用いたスローライト光導波路の広帯域化(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-16 Well-in-Well構造による高速直接変調量子井戸レーザの検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-40 サブ波長回折格子の負のグースヘンシェンシフトとスローライト光導波路への応用(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作 (光エレクトロニクス)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作 (電子部品・材料)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作 (機構デバイス)
- マイクロマシン構造を用いた面発光レーザの波長制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-3 ループバック装荷半導体集積SOA-MZI型光フリップフロップ回路の動作に関する解析的検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-24 WWell活性層レーザの製作とRIN特性の評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-23 Well-in-Well構造を用いたレーザの高速変調動作解析(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-7 狭線幅中空導波路DBRレーザの基礎検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-80 単一材料HCGにおける反射特性(パッシブデバイス(II),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- B-12-3 位相変調対応波長変換型光バッファの消費電力・制御線数低減のための構成に関する検討(B-12. フォトニックネットワーク,一般セッション)
- C-3-88 マイクロマシン面発光レーザとスローライト光増幅器の横方向集積の検討(導波路デバイス(II),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-5 数値解析によるトンネル注入SOAの利得飽和特性の評価(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-87 サブ波長回折格子を用いたスローライト光増幅器の解析(導波路デバイス(II),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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