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東京工業大学精密工学研究所フォトニクス集積システム研究センター | 論文
- MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大と波長可変動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度光電融合インターフェース回路集積法に関する基礎的検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 高密度光電融合インターフェース回路集積法に関する基礎的検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 高密度光電融合インターフェース回路集積法に関する基礎的検討(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- Well-in-Well量子井戸レーザの動特性に関する検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-102 角度依存性を有するサブ波長回折格子ミラーの設計と製作(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-1-1 キャリア緩和を抑制する直接変調レーザの高速動作設計(CI-1.光デバイス設計の最新動向,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-4-27 半導体光増幅器におけるキャリアの蓄積と遷移の影響解明(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-16 キャリア緩和制御構造レーザの高微分利得化に関する検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-28 ループバック装荷半導体集積SOA-MZI型光フリップフロップ回路のループ遅延量許容度に関する解析的検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- Well-in-Well量子井戸レーザの動特性に関する検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-12 3次元閉じ込め中空導波路DBRレーザ(II)(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-11 3次元閉じ込め中空導波路DBRレーザ(I)(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-77 マイクロマシン面発光レーザとスローライト光増幅器の横方向集積の検討II(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-71 単一材料HCGにおける入射方向依存性の原理と応用の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-14 DPSK対応位相演算型光シリアル・パラレル変換器のアドレステーブル動作実験(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-29 半導体光増幅器の四光波混合による位相感応型増幅動作に関する解析的検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ループバック装荷半導体モノリシック集積SOA-MZI型全光フリップ・フロップ回路の動作特性検討 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- ループバック装荷半導体モノリシック集積SOA-MZI型全光フリップ・フロップ回路の動作特性検討 (光エレクトロニクス)
- ループバック装荷半導体モノリシック集積SOA-MZI型全光フリップ・フロップ回路の動作特性検討 (光通信システム)
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