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東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 | 論文
- 次世代高効率ネットワーク技術開発プロジェクトと研究諸課題 : デバイス基盤技術の概要(PN特別セッション(1),IPバックボーンネットワーク,MPLS,GMPLS,フォトニックネットワーク及び一般)
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- 24aPS-42 A面サファイア基板上GaNの四光波混合分光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 微小共振器レーザにおけるピコ秒光パルスの発生
- ハードウェアでの実装に適した非線形ディジタルフィルタ(「非線形ディジタル信号処理とその応用特集号」)
- 量子ドット太陽電池研究開発の現状と展望 (特集 再生可能エネルギー利用の動向)
- 量子ドット・フォトニック結晶ナノレーザー : 単一人工原子レーザーを中心にして
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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- 半導体直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 次世代太陽光発電の展望 : 量子ドット太陽電池を中心にして
- 量子ドット太陽電池研究の展開 (次世代エネルギーを再考する)
- C-4-1 ウェハ融着によるSi基板上1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 量子ドット太陽電池研究の展開
- 次世代超高精細映像に向けた超高速LAN-SANシステム化技術とその要素技術開発
- 通信波長帯量子ドットを用いた励起子状態のコヒーレント制御(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
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