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早大理工:早大材研 | 論文
- 29a-PS-36 InSb(111)B-2×2表面の最適化構造とその電子状態
- GaAs(111)A-2×2表面の電子状態と構造安定性
- 30a-PS-29 RHEED rocking curveを用いたInSb{111}A, B表面の構造解析
- 5a-Q-10 Si(111)表面上のGe擬形態層に及ぼすSbの効果
- 14a-DJ-5 単原子層グラファイト/SiC(111)系不整合界面における電荷移動機構
- 26aPS-26 第一原理擬ポテンシャル法によるSi(111)-(√x√)R30°-Sn表面の評価
- 29p-T-3 α-Sn(111)表面再配列構造のSTM観察
- Sn/InSb(111)A系のSTM観察
- 31a-J-3 Sn吸着InSb(111)A表面のSTMによる研究
- InSb(001)-C(8×2)表面構造の直接観察
- 18aWD-10 HR-profile TEMによるAu/InSb{111}A,B系の界面評価
- 17pWD-11 透過電子回折法による化合物半導体極性表面のデバイ温度の見積もり
- 27a-PS-26 InSb(001)-c(8×2)表面構造
- 31a-PS-4 HR-profile TEM法による表面再構成の評価II : InSb(110)-(1×1)表面
- 8p-B-8 HR-profileTEM法による表面再構成の評価I : InSb{111}A, B-(2×2)表面
- 5p-B-10 化合物半導体におけるホモエピタキシャル成長面の動的観察I:InSb(110)表面
- 1a-RJ-10 蒸発-蒸着による固体表面の平滑化に関するMullinsモデルの数学的再検討
- 12a-N-5 アルカリ・ハライド単結晶上での金の結晶成長
- P44 層状ケイ酸塩RUB-51と層状オクトシリケートのシリル化生成物における反応性・構造上の差異(ポスター発表,一般講演)
- 26pYH-6 三量体相転移を起こすA_2V_O_ (A=Ba, Sr)の不純物効果(26pYH V酸化物・秩序型ペロブスカイト,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))