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日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所 | 論文
- 高度情報通信社会とGaN系高周波デバイス
- C-3-115 LDのSPICEモデルを用いた統一シミュレーションによる光トランシーバ設計
- 部分回折格子LDを用いた表面実装型LDモジュールの雑音特性
- 水平テーパアクティブストライプ型スポットサイズ拡大高効率1.3μm MQWレーザ
- C-4-36 並列光伝送用素子分離型アレイLD
- TBA,TBPを用いた高均一高制御MQWのMOVPE成長
- GaAs ICにおけるサイドゲート効果
- モード干渉を用いたスポットサイズ変換レーザ
- 周期バイアス動作解析用デバイスシミュレータ