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日本電信電話株式会社ntt物性科学基礎研究所 | 論文
- 促進障壁層を有する AlGaN/GaN E-mode HFET の作製
- 層状窒化ホウ素を剥離層とするGaN系デバイスの機械的転写法の開発(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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- 離れた家族をつなぐコミュニケーションの事例研究 : 電話チャンネルを用いた5年間の記録(『場のデザイン』及びコミュニケーション一般)
- 8aXD-6 CuIr2S4のCu-NMR(遷移金属カルコゲナイド,領域8)
- 7aXB-2 NMRで見るTI2201の渦糸コア電子状態とその磁場効果(,磁束量子系(磁束コア),領域8)
- 6aSB-10 基板/バッファ層界面でのドーピングによるRashba係数αの制御(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
- 25aWM-4 固体高調波実験における反射励起光スペクトルのサテライト構造(25aWM 量子エレクトロニクス,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))
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