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日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 | 論文
- MOCVDを用いた歪み系In_Ga_As/AlAs RTDの高性能化
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
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- 50-Gbit/sフィールドスルー型メタルウォールMUX/DEMUX ICモジュール(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
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- 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 2モード位相比較器を用いたデータパタン無依存CDR回路
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- 高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
- アンドープエミッタInP/InGaAs HBTとその回路応用
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- 周波数変調SSG-DBRレーザと光フィルタを用いた高速長距離伝送(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
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- 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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- 直接接合QPM-LN導波路を用いた高効率波長変換(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 二段階吸収型ホログラフィック記録材料
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