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日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所 | 論文
- C-10-14 InP/InGaAs HBT 技術を用いた低電力10 Gbit/s 1:16 DEMUX IC
- C-3-79 T字型導波路によるAWGの特性制御(AWG(1))(C-3.光エレクトロニクス)
- MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- C-3-66 PLC/PDアレイを用いた集積型コヒーレント受信FEモジュール(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-50 石英系PLC型光90度ハイブリッドの位相誤差低減(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CS-4-2 光ケーブル・ニューテーション試験の検討(CS-4.計測技術と機構デバイス,シンポジウムセッション)
- 擬似位相整合LiNbO_3リッジ導波路による高効率中赤外差周波発生
- CS-7-1 光クロックトランジスタアレイ(OCTA)を用いた高速非同期光ラベル処理技術(ELEX Best Paper Award受賞記念講演,CS-7.変復調用集積光デバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 半導体二重リング共振器を用いた光パケットスイッチ用波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 直接接合QPM-LN導波路での中赤外域差周波発生と希薄ガス検出への応用(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- B-12-9 光クロックパルス列発生器を用いた非同期任意長光パケット処理(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- B-12-8 非同期任意長光パケットに対するエラーフリーラベル交換動作(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- C-3-7 差動スピン励起型全光パターンマッチングを用いた100Gb/s非同期光パケットに対するバイパス・ドロップセルフルーティング(C-3. 光エレクトロニクス(変調器・光信号処理), エレクトロニクス1)
- C-3-6 Asynchronous Burst Optical Label Swapper based on an Optically Clocked Transistor Array (OCTA)
- 直接接合QPM-LN導波路を用いた高効率波長変換(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-4-19 空間光変調器を用いた微分処理による光パルスのチャープ測定(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-26 40G/100Gイーサネット用リッジ構造MQW半導体レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-21 MIC-PDを使用した100Gbイーサネット用25Gbit/s ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 111Gb/s CSRZ-DQPSK符号と帯域最大化ハイブリッド光増幅技術を用いた20.4Tb/s (204 x 111Gb/s)大容量伝送実験(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- IC搭載PLC技術を用いた大規模PLCスイッチの小型化(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
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