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日本電信電話(株) NTTフォトニクス研究所 | 論文
- ストリップフリーPhysical Contact光コネクタの検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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- C-4-7 100GbE向けモノリシック集積光源の高出力化、低電圧駆動化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-4 メタモルフィックバッファを用いたGaAs基板上1.3ミクロン帯レーザによる20Gbps動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-9 100GbE用次世代トランシーバ向け超小型TOSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-53 InP DP-QPSK変調器(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- C-4-2 InP(110)基板上シングル電極駆動MZ光変調器の提案(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-33 100GbE向けモノリシック集積光源高出力化のためのInPトランスバーサル・フィルタの透過特性(パッシブデバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-10 リアグレーティングレーザを用いた、43Gbit/s EADFBレーザのアンクール(5〜85℃)動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- ニューテーション試験によるLCコネクタ付光ケーブルの機械耐性評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- ニューテーション試験によるLCコネクタ付光ケーブルの機械耐性評価(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
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- C-4-3 SI基板上InGaAIAs DMLの25.8Gb/s差動駆動広波長範囲30mm動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-13 偏波多重を用いた小型100GbE用光送信モジュール(TOSA)(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-11 InP(110)基板上シングル駆動MZ光変調器の高速・アサーマル動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
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