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日本電信電話(株)物性科学基礎研究所 | 論文
- 13aYB-4 Rashba スピン軌道相互作用の制御によるスピン干渉計(半導体スピン物性, 領域 4)
- 29pYF-4 正方形ループ配列にみられるRashbaのスピン軌道相互作用(半導体スピン物性)(領域4)
- 28aZK-11 正方形ループを用いたバリスティックなスピン干渉計
- 18aYG-6 半導体局所ホール効果を用いた微小強磁性体電極の評価
- B-10-25 偏波無依存化した周波数上方変換型光子検出器を用いた量子鍵配送フィールド伝送実験(B-10.光通信システムA(線路),一般講演)
- 通信波長帯単一光子・エンタングル光子対の生成と伝送
- GaN系半導体を用いた光・電子デバイス
- 26pZC-9 InGaAs二次元電子ガスにおけるゼーマン効果とスピン軌道相互作用の競合(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 13aYB-6 InGaAs 量子井戸のスピン軌道相互作用に及ぼす InP 界面の効果(半導体スピン物性, 領域 4)
- 29pYF-9 半導体・磁性体ハイブリッド構造による微小磁性体リングの磁化特性評価(半導体スピン物性)(領域4)
- 電界効果スピントランジスタへ向けてのアプローチ
- 28aZK-10 InAs 層挿入 InGaAs チャネルにおける g-因子のゲート電圧依存性
- シリコン一次元鎖の固体表面への接続
- エンドグラフトポリシラン : 固体表面に化学結合した単一シリコン原子鎖の形成と物性
- D-10-5 大規模分散処理システムにおけるログ解析方式の提案(D-10.ディペンダブルコンピューティング,一般セッション)
- D-10-8 大規模分散処理システムにおけるサイレント障害の原因分析方式に関する一提案(D-10.ディペンダブルコンピューテイング,一般セッション)
- D-10-7 大規模分散処理システムの性能分析のためのログ抽出・構造化及び可視化方式の提案(D-10.ディペンダブルコンピューテイング,一般セッション)
- 7pSB-5 2重InAs層挿入InGaAsチャネルにおけるg-因子(磁性半導体,領域4)
- 6aSB-10 基板/バッファ層界面でのドーピングによるRashba係数αの制御(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
- 6aSB-9 組成変調による三重障壁非磁性スピン・フィルター(層状・低次元物質・化合物半導体,領域4)
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