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新潟大RI | 論文
- 24aWK-9 陽子過剰核^Neの反応断面積
- 24pWK-9 ^B探索実験
- 21pYM-8 シリコンにインプラントされたホウ素の核スピン緩和の磁場依存性(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aZD-3 TiO_2中窒素不純物の低温における局所電子状態(24aZD 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aWK-8 中間エネルギーにおける^Cの反応断面積とその増大
- 26aYL-12 β-NMR法によるシリコン中ホウ素のイオン植え込み位置の研究
- 13pSB-6 反応断面積による^Neの核子密度分布II(13pSB 理論核物理領域,実験核物理領域合同 不安定核III(合同),理論核物理領域)
- 13pSB-5 入射核破砕片^Nのアイソマー比と運動量分布(13pSB 理論核物理領域,実験核物理領域合同 不安定核III(合同),理論核物理領域)
- 28pXD-5 ZnO中に植え込まれた短寿命核^Nによる電場勾配観測(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pWF-9 ^Sc磁気モーメント及びScFe系のNMR-ON
- 27pGJ-6 荷電交換反応を通じて生成されるNaアイソトープの運動量分布(27pGJ 不安定核III,実験核物理領域)
- 27pGJ-5 陽子-原子核の反応断面積のエネルギー依存性(II)(27pGJ 不安定核III,実験核物理領域)
- 27pGJ-11 ベータNMRによる^Cuの磁気モーメント測定(27pGJ 不安定核III,実験核物理領域)
- 26pGJ-2 sd殻陽子過剰核のピックアップ反応による生成と反応断面積(26pGJ 実験核物理領域,理論核物理領域合同 不安定核II(合同),実験核物理領域)
- 22aGQ-2 シリコン中銅不純物の挙動観測のための核プローブ開発(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 18pSK-8 陽子-原子核の反応断面積のエネルギー依存性(II)(18pSK 不安定核(II),実験核物理領域)
- 18aSL-11 陽子ドリップライン領域sd殼核の生成と反応断面積(18aSL 理論核物理領域,実験核物理領域合同,不安定核(I),理論核物理領域)
- 24aXC-12 ^Alを用いた反応断面積に対する核整列効果(24aXC 実験核物理領域,理論核物理領域合同 不安定核(合同),実験核物理領域)
- 24aXC-11 陽子ドリップライン近傍核^Pの反応断面積(24aXC 実験核物理領域,理論核物理領域合同 不安定核(合同),実験核物理領域)
- 25aXA-8 反応断面積による核構造研究 : HIMACでの研究成果とこれから(25aXA 実験核物理領域,理論核物理領域合同シンポジウム:反応断面積による不安定核のハロー・スキン構造研究の新展開,実験核物理領域)
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