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新日本無線株式会社 | 論文
- AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- デプレッションMOS-FETを用いたCMOS基準電圧回路
- AlGaN/GaN HFET のMIMゲート構造による界面電荷の制御
- 温度差液相エピタキシャル法による均一組成(In,Ga)P混晶の成長
- インピーダンス変換内蔵2線式マイクアンプ
- レーダー用電子同調マグネトロンの実用性能と探知能力の改善(電子管と真空ナノエレクトロニクス)