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新日本無線株式会社研究所 | 論文
- C-2-27 60GHz帯GaAsフリップチップガン発振器の信頼性評価
- フリップチップ実装を用いたAIN基板上のV帯プレーナー構造ガンVCO
- AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器
- フリップチップガンタイオード
- AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器
- フリップチップ実装を用いたAlN基板上のV帯プレーナー構造ガンVCO
- C-6-8 炭素によるSiドープGaNの高抵抗化機構(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-12-51 スペクトル拡散通信用3GChip/s CCD相関器の試作および評価(C-12. 集積回路C(ワイヤライン),一般セッション)
- C-12-20 4次OTA-C複素バンドパスフィルタの試作
- C-2-28 ゲート電圧制御によるDROの発振周波数の温度補償
- C-10-5 Si基板上AlGaN/GaN HFETにおけるバッファ層の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ECRスパッタSiNの膜質がSiN/AlGaN/GaN MIS-HFET特性に与える影響
- スペクトル拡散通信におけるCCD相関器の検討
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