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慶応大理工 | 論文
- 28p-WF-6 有限温度におけるベシクルの形状に関するシミュレーション
- 23aXA-10 エチレン終端Si(100)基板に蒸着したF_4-TCNQの電子状態 : NEXAFSと内殻光電子分光による研究(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aWS-2 Rh(111)面におけるNO分子の反応性 : 第一原理電子構造計算(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aRJ-5 N/Rh(111)表面でのNOダイマーの形成(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 15a-C-10 SCFF法による経験的分子間ポテンシャル
- 1p-PSA-10 CeB_6の磁場中X線回折
- 21pYC-2 上下段テラスの構造の違いによるステップの不安定化 V
- 上下段テラスの構造の違いによるステップの蛇行II(結晶成長理論I)
- 上下段テラスの構造の違いによるステップの蛇行 : 結晶成長理論シンポジウム
- 17pTF-10 上下段テラスの構造の違いによるステップの不安定化II
- 27aTA-9 上下段テラスの構造の違いによるステップの不安定化I
- 20pXA-10 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶の成長様式(II)(20pXA 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-2 長距離相互作用する粒子の1次元核生成(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXK-2 エピタキシャル系における核生成初期過程(結晶成長,表面局所光学現象,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pTG-8 エピタキシャル系における転位を含む吸着層上での核生成(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 02aC07 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶のミスフィット転位を含む平衡状態(結晶成長理論(2),第36回結晶成長国内会議)
- 24pYH-9 ヘテロエピタキシャル系における吸着物結晶の成長様式(24pYH 結晶成長,微粒子,クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXF-1 エピタキシャル系におけるミスフィット転位(III)(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 17pC10 ミスフィット転位間の弾性相互作用(I)(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
- 17pC11 シリコン(001)微斜面でのステップ束の2次元パターンと成長則(結晶成長理論,第35回結晶成長国内会議)
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