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広島大学 工学部 | 論文
- 28pWL-12 ヨウ素無限鎖をもつ有機不整合格子系超伝導体(MDT-ST)(I_3)_の構造と電子状態(BETS塩・陽ラジカル塩)(領域7)
- 28pWL-11 不整合格子を持つ新規有機超伝導体(MDT-TS)(AuI_2)_(BETS塩・陽ラジカル塩)(領域7)
- 含セレン有機伝導体の最近の進歩 : 新合成法,新物質,新伝導体
- Synthesis and Structures of Neutral Crystals and Charge-Transfer Salts of Selenium Containing TMET-TTP Derivatives
- 20aXE-9 有機超伝導体 (MDT-TTF)_2(AuI_2) と (MDT-TSF)(AuI_2)_ の低温熱容量特性
- Oligothiophene/fullerene Dyads as Active Photovoltaic Materials
- 28aZA-6 ヨウ素無限鎖をもつ超伝導性有機不整合結晶 (MDT-ST) (I_3)_ の超伝導特性
- 次世代エレクトロニクス素子に向けた ナノ共役分子の開発と機能
- Organic Field-Effect Transistors Using Di(2-thienyl)naphthodithiophenes as Active Layers
- Synthesis, Structures, and Properties of Two Isomeric Naphthodithiophenes and Their Methyl, Methylthio, and 2-Thienyl Derivatives ; Application to Coductive Charge-Transfer Complexes and Low-Bandgap Polymers
- ナノスケールオリゴチオフェンの合成と物性 : 導電性ポリマーモデルから分子エレクトロニクス材料へ
- 10)面放電型acプラズマディスプレイのキャラクタ表示用駆動回路(発光型ディスプレイ話題別研究会 : 情報ディスプレイ研究会)
- 9)面放電型acプラズマディスプレイの動作機構(発光型ディスプレイ話題別研究会 : 情報ディスプレイ研究会)
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- 複合系の周波数領域における安定条件とリアプノフ関数の存在
- 構造用エポキシ系接着剤バルク材の変形挙動のひずみ速度依存性 : 第2報,三次元構成式定式化と有限要素シミュレーション
- 構造用エポキシ系接着剤バルク材の変形挙動のひずみ速度依存性 : 第1報,塑性せん断ひずみ速度の定式化
- 数値シミュレーションによるTRIP鋼の衝撃変形挙動の評価
- 引張り荷重を受ける異種被着体段付き重ね合わせ接着継手の三次元有限要素応力解析と強度推定