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広島大学 大学院先端物質科学研究科 | 論文
メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
TiO_2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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