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岡理大理 | 論文
- 29a-ZH-2 Capacitance-XAFS:site-selective XAFSの可能性
- 28p-ZA-8 内殻励起によるAlGaAs:Se半導体中の深い不純物準位の特性評価
- 30p-YN-11 Te-DXセンターの電子放出に及ぼす圧力効果
- 3a-J-10 DXセンターの多重性と格子緩和II : 圧力下におけるICTSスペクトル実験
- 30p-L-11 DXセンターの圧力下におけるICTSスペクトル実験 : DXセンターの多重性と格子緩和
- 12a-DF-7 Si-DX, Te-DXセンターの圧力下におけるICTSスペクトル : DXセンターの多重性と格子緩和
- 30a-M-1 DXセンターの多重性と格子緩和 : 圧力下のICTSスペクトル実験
- 28a-D-10 ICTS法を用いたAl_xGa_As:Te中のDXセンターの圧力効果
- 24a-M-4 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
- 5a-D-1 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
- 6p-C-6 超高圧低温下のICTS法による化合物半導体中の深い不純物準位の研究(I)
- 30aRC-7 α菱面体晶ボロンの高圧X線構造解析(30aRC クラスター・ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pWN-12 ZnOの超高圧X線構造解析(ゼオライト・高圧物性)(領域7)
- 29pXS-11 (Ag_2Te)_x-(AgPO_3)_(X=0.3,0.5)ガラスの赤外スペクトル(超イオン伝導体)(領域5)
- 21aTB-12 (Ag_2M)_x-(AgPO_3)_ の低エネルギー赤外スペクトル
- 28p-C-3 (GaAs)m(AlAs)n人工超格子における光学スペクトルの圧力効果
- 24p-M-9 (GaAs)_m(AlAs)_n人工超格子における反射スペクトルの圧力効果II
- 2a-D-9 (GaAs)m(AlAs)n超格子の反射スペクトルの圧力効果
- 30a-Z-13 超高圧低温下における(GaAs)m(AlAs)m超格子のフォトルミネッセンス (III)
- 3p-C-13 超高圧低温下における(GaAs)_m(AlAs)_n超格子のフォトルミネッセンス (II)