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岡山理大理 | 論文
- 26aTF-1 α-Boronにおけるクラスター構造と電子密度の圧力変化(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24pWG-5 α-FeSi_2における電子密度状態の圧力変化(X線・粒子線(X線回折・核共鳴分光),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 31p-YK-4 Optimized Bond Orbital Model によるC_の電子状態の計算
- 30p-A-4 水素結合型強誘電体に現れる同位体効果のモデル計算
- 30a-M-2 ペロブスカイト型酸化物混晶系の強誘電相転移
- 24p-S-6 量子常誘電体における強誘電相転移 : 圧力誘起の場合
- 13p-S-18 高励起下CdSのピコ秒分光(理論的考察)
- 13p-S-19 高励起下CdSのピコ秒分光(実験結果)
- 2p-M-9 ピコ秒バンド端励起によるGaAsの電子 : 正孔プラズマの発光と光学利得
- 29a-B-9 CdSにおける高密度電子-正孔プラズマによる光学利得
- M. D. Lumb編: Luminescence Spectroscopy Acadcmic Press, London, 1978, ix×375ページ, 23.5×16cm.
- 3p-Y-7 直接遷移型半導体における電子-正孔プラズマのピコ秒分光
- 20pTC-4 陽子透過による炭素薄膜からの2次電子放出における前方-後方相関(20pTC 放射線物理(2次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aZB-12 陽子及び水素入射による炭素薄膜からの前方と後方への二次電子放出の相関(放射線物理(クラスター・2次粒子放出),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 22aZF-4 等速の陽子及び電子照射による炭素薄膜からの2次電子放出(22aZF 放射線物理(散乱素過程),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pRB-2 ビーム透過による炭素薄膜からの前方と後方への二次電子放出の同時計測(放射線物理(衝突に伴うエネルギー付与),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 21pRE-5 荷電凍結したH^0透過による炭素膜からの2次電子収量におけるH^0の出射角に対する依存性(放射線物理(エネルギー付与過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 29 放線菌 F-40 株の生産する新規オーキシン信号伝達阻害剤 Terfestatin A
- 55 クスノキ科Neolitsea aciculata Koidz.の高度酸化セスキテルペノイドの構造(ポスター発表の部)
- A Stereoselective Total Synthesis of (9S)-9-Dihydroerythronolide A via Coupling between the Right-Half (C1-C6) Aldehyde and the Left-Half (C7-C15) Sulfoxide
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