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山口大・工 | 論文
- 2D12 側鎖に液晶核を有する新規高分子液晶の合成と物性
- 1D16 分子末端にチオシアノ基を持つ化合物の液晶性
- 804 平板後縁近傍乱流境界層の発達に及ぼすスプリッター板の影響(OS8-1 複雑乱流の計測と制御(境界層),OS8 複雑乱流の計測と制御,オーガナイズドセッション)
- 515 平板後縁近傍乱流境界層の発達に及ぼすスプリッタープレートの影響(流体工学VIII)
- 平板後縁近傍の乱流境界層の特性 : 変動速度場(流体工学VIII)
- 1449 平板後縁近傍の乱流境界層の特性
- 30a-N-15 ICB法によるCd_Mn_xTe多重量子井戸構造の磁気光学特性
- 27a-ZH-13 閃亜鉛鉱型MnTeの光学スペクトル
- 27a-ZH-12 ICB法によるCd_Mn_xTe人工格子薄膜の作製と磁気光学効果
- 713 ポリ乳酸フィルムにおける引張強度の微細加工法依存性の検討(バイオエンジニアリングIII)
- 711 ひずみ勾配を有する引張り変形刺激に対する細胞応答評価デバイスの開発(バイオエンジニアリングIII)
- 708 バイオマイクロアクチュエータ実現のための細胞配向基板の検討(バイオエンジニアリングII)
- 303 理論式と有限要素法シミュレーションによる接触型非線形バネ特性の比較検討(情報・知能・精密機械,交通・物流I)
- 1303 静電-弾性協働マイクロアクチュエータの非線形バネの設計(情報・知能・精密機器,交通・物流I)
- 1302 円筒物体表面での反応性イオンエッチング(情報・知能・精密機器,交通・物流I)
- MBE 成長におけるGaN 薄膜の極性制御
- RF-MBE法によるGaNバルク単結晶基板上へのホモエピタキシャル成長と多重量子井戸構造の作製 : エピキタシャル成長II
- 29a-N-7 GaN薄膜における光学特性の電子濃度依存性
- 複合材料中の非線形波動の一次元シミュレーション
- 28p-J-6 半導体微粒子分散ガラスの光黒化効果の機構