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富士通株式会社ネットワークプロダクト事業本部 | 論文
- GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造
- CT-1-4 化合物半導体デバイス : InP系,GaN系(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- B-14-8 整数計画法を用いた省電力WDM光ネットワーク設計(B-14.情報通信マネジメント,一般セッション)
- B-10-64 125Gb/s偏波多重RZ-DQPSK送受信機とLDPC+RS連接符号FECの接続評価(2) : 125Gb/s偏波多重RZ-DQPSK送受信機の安定性評価結果(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- 超高速光LAN-SANシステム化技術の目標と現状(省エネルギーと超高速インターネット-システム,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- SHV配信LAN-SANシステム収容技術の開発(省エネルギーと超高速インターネット-システム,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- BS-10-5 超高精細映像時代に向けた光LAN要素技術開発(BS-10.光スイッチング・光インターコネクション・光LAN技術〜ラック間・ボード間・チップ間光ネットワークへ〜,シンポジウムセッション)
- BS-13-1 省エネルギーと次世代高効率ネットワークデバイスプロジェクト(BS-13.通信とネットワークの省エネルギーを考える,シンポジウムセッション)
- 低半波長電圧型強度/位相変調集積型LiNbO_3変調器を用いた短パルス生成の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 非線形ファイバを用いた超高速波長変換の検討(40Gb/s伝送技術,OTDM技術,超高速伝送技術,ラマン増幅技術,一般)
- C-3-146 フォトニック結晶ファイバ内非線形チャープを用いた40Gb/s波長変換実験(ホーリーファイバ(2))(C-3.光エレクトロニクス)
- C-4-39 スーパーコンティニュームを用いた 40Gb/s 波長変換実験
- デジタルコヒーレント伝送システムのための逆伝播型非線形効果補償とその半ブラインド最適化(光変復調方式,多値光変復調,コヒーレント光通信,非線形・偏波問題,分散補償デバイス,光信号処理,光測定器,光通信用ディジタル信号処理,光通信計測,光通信用LSI,誤り訂正,一般)
- BI-4-2 ディジタルコヒーレントによる100Gbps/λ長距離伝送(BI-4.テラビットネットワーク時代の100Gトランスポート技術とアプリケーション,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- AOTFとEDFAを用いた波長可変リングレーザ
- AOTFとEDFAを用いた波長可変リングレーザ
- 光トランスポートネットワークの最新技術動向 : ITU-T G.709 OTN標準化状況(次世代ネットワーク,電力線通信,無線通信方式,一般)
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