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富士通厚木研究所 | 論文
- 2p-D-10 Si-Ge超格子の光学遷移強度
- 30a-Z-1 Si-Ge超格子の電子構造計算 : 界面での混晶化の効果
- MBEの分子動力学シミュレーション
- 29a-O-10 MBEの分子動力学によるシミュレーション
- 28a-F-12 Si-Ge超薄膜超格子のバンドギャップ
- 31a-TA-9 Si(001)面再配列構造と古典的ポテンシャル : 擬ポテンシャル法との比較及び検討
- 分子動力学法によるMBE結晶成長シミュレーション
- 29p-PSB-8 SI(001)上のAl、Gaの吸着IV
- 27a-Y-9 Si(001)上へのAl、Gaの吸着 III
- 31a-TA-10 第一原理分子動力学法によるSi(001)表面アルカリ吸着系の構造最適化
- 28a-ZS-3 Si(100)上へのAl、Gaの吸着II
- 26a-Y-9 シリコン表面上における塩素の吸着・反応過程(II)
- 29p-PS-21 シリコン表面上における塩素の吸着・反応過程
- 30a-ZD-11 Si(100)上へのAl,Gaの吸着
- 断面TEMによるAlOx,ZrOxおよびHfOxをバリアとするニオブ接合の界面考察
- ショットキ-障壁GaAsFETのスイッチング特性(技術談話室)
- FETの利得雑音特性に対する寄生素子の影響(技術談話室)
- メタルディスク下地膜およびS/N特性の検討
- タイトル無し
- 31a-F4-7 シリコンの多体原子間tポテンシャル(表面・界面)