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宮崎大産学連携センター | 論文
- Ge-Se系ガラスの結晶化過程の組成依存性
- 2P1-11 光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究(ポスターセッション)
- 高感度光吸収係数測定を目的とした一定光電流実験手法の構築
- sp3/sp2比によるダイヤモンド様炭素薄膜の光学的特性変化
- 非破壊検査 非発光遷移検出によるポリジヘキシルシランの光分解性評価--圧電素子光熱分光法による有機ポリシランの研究
- 1P2a-4 非発光遷移検出によるポリジへキシルシランの光分解性評価(ポスターセッション)
- 1J2a-2 光熱分光法と表面光起電力法によるGaAs/AlAs-MQWの電子遷移過程の研究(測定技術)
- 圧電素子光熱分光法によるチタニア薄膜の光学的特性の研究
- AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される2次元電子ガスの光学的特性
- 1-04P-21 GaInNAs/GaAs SQWからの光励起されたキャリアの漏れの検出(ポスターセッション 1)
- 製膜速度による微結晶シリコン薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル変化
- 非破壊検査 圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン薄膜の光吸収スペクトル
- P2-E-32 圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン薄膜の光吸収スペクトル(光-超音波・光音響法,ポスターセッション2(概要講演))
- P1-31 圧電素子光熱分光法とフォトルミネッセンス法による4H-SiC単結晶中の欠陥評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- 熱処理によるGeSe_2ガラスの結晶核生成過程の研究
- C-6-4 GeSe_2ガラスの核生成過程における2段階等温アニール効果
- GeSe_2ガラスの熱結晶化過程のアニール条件依存性
- 25pL-7 カルコゲナイド系アモルファス半導体
- 25pL-5 カルコゲナイド系アモルファスGeSe_2の光誘起および熱による結晶化過程
- 1Pa-8 圧電素子光熱分光法による多結晶シリコンp-n接合界面における熱エネルギー損失評価(ポスターセッション)