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宮崎大学工学部材料物理工学科 | 論文
- 26p-YE-8 カルコゲナイド系アモルフォス半導体GeSe_2の降温過程における構造変化過程
- 6a-E-8 低温におけるGaAs中の深い準位EL2に起因する光励起準安定状態
- 5a-A-8 アモルファス半導体GeSe_2の昇温および降温過程における構造変化
- 中性子放射化分析によるヒ素の定量の半減期依存性(平成21年度卒業論文抄録)
- 20pAJ-10 超球座標断熱ポテンシャルに束縛されない共鳴状態 : 陽電子系の例(20pAJ 原子・分子(原子分子一般・電子衝突・エキゾチックアトム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- タイトル無し
- 25aZA-1 低エネルギー重陽子ビーム照射による金属表面の気泡形成(25aZA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))
- 7aWF-12 反陽子-水素原子衝突によるプロトニウム生成過程の理論(原子・分子,領域1)
- 原子層エピタキシー法を用いた超高効率多接合型太陽電池用材料(In)GaAsNの開発