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学習院女子大学 | 論文
- 4a-H-6 InAs表面異常伝導の縦電場効果
- 27p-G-2 InAs MISFET n型反転層の電気伝導
- 30a-RB-9 InAs表面n型反転層弱局在領域の電気伝導
- 3a-A-17 シリコンMOS反転層の負磁気抵抗と谷間散乱
- 3a-A-16 MOS反転層における表面イオン散乱とアンダーソン局在
- 2a-C-7 mk領域までのMOS反転層の電気伝導 IV
- 1a-Pα-22 mK領域までのMOS反転層の電気伝導IV
- 4p-NF-8 mK領域におけるMOS反転層の電気伝導II
- 4a-NM-5 イオン衝撃による固体表面上での発光
- 5a-NL-4 Si-MOS(100)反転層2次元電子移動度の温度依存
- 5a-NL-2 Si-MOS二次元伝導の強電界効果と負磁気抵抗
- 30a-J-2 H^+, H^+_2, H^+_3の固体表面との衝突による発光
- 30p-K-7 mk領域におけるSi-MOS反転層の電気伝導
- 30p-K-6 セシウム吸着Si表面反転層のアンダーソン局在
- 30p-K-3 シリコン(100)表面2次元電子移動度の温度依存
- 3p-B-11 Si-MOS反転層の負磁気抵抗効果とアンダーソン局在II
- 4p-B-1 Si MOS 反転層の格子散乱移動度
- 「鎖国」下の「4つの窓口」--(1)対馬(2)長崎(3)琉球(4)松前 (特集/新しい「鎖国」の見方・学び方)
- 広域イーサネット網を活用したキャンパス間のシームレスなネットワーク環境の構築
- 自治体独自事業創設の誘引構造についての概念分析