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学習院大 理 | 論文
- Cantre National de la Recherche Scientifique(Paris)編集および発行: Colloque National de Magnetisme, 1958年, 336頁, 16×24cm, 3,600円.
- SiP-N JunctionのGeneration-Recombination Center II : 半導体 : ダイオード
- 安定化させたSi表面の電気的性I ; 高温酸化、低温酸化、樹脂保護膜 : 半導体 : 表面
- 空気中で劈開したSi表面の電気的性質 : 半導体 : 輸送
- 6a-F-5 Si P-N JunctionのDeep Trap Level
- Siの表面再結合中心とその電気的性質II : 半導体(表面, 理論)
- Siの表面再結合中心とその電気的性質I : 半導体(表面, 理論)
- ダブルビームX線透視法によるCzSi単結晶育成時の融液対流三次元可視化観察 : 融液成長IV
- 低原子価ニオブ種による炭素-フッ素結合の触媒的活性化反応
- 計算科学的手法による不斉合成反応機構の解析
- 理論化学的アプローチによる有機合成反応の機構の解明
- 化学教育のためのマルチメディアコンテンツの作成
- 新しい化学教育用マルチメディア教材の開発
- 数値計算によるSi融液中の熱と物質の輸送現象の理解 : 融液成長VI
- Si融液対流と育成結晶中のストリエーションとの相関 : 融液成長VI
- CZ法におけるSi融液対流の三次元構造(バルク成長(II))
- Si融液対流の三次元解析 : 軸対称流について : 融液成長V
- 10a-L-7 γ-Mn反強磁性変態と結晶歪み II
- 反強磁性α'-MnZn_3の異常比熱 : 磁性(金属合金)
- イノシトール類