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大阪電通大工 | 論文
- 22pPSB-2 赤外レーザー照射KDP粉末のラマン散乱(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 28aYG-3 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果III : interplay factorの温度変化を取り入れたmodified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aYH-5 結晶平衡形ファセット端の異常な振る舞いに潜むユニバーサルな振る舞い : p-RSOS模型の密度行列繰り込み群計算より(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pGQ-7 Si(111)面(1×1)-(7×7)構造変化に関する微斜面効果IV : 方向に傾いた微斜面でステップ・バンチングが消失する温度近傍の密度行列くりこみ群計算(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSB-23 窒化ガリウム系水分解光触媒の電子状態(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 22pPSB-9 高濃度にドープしたKCl:Iの緩和励起子発光(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 27aTE-6 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果II : modified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-6 吸着子による熱的なステップ端上段/下段デコレーション : 変形RSOS-Ising結合模型のモンテカルロ・シミュレーション(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXJ-12 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果 : RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-2 臨界線近傍における数値くりこみ群(PWFRG)の固定点 : RSOS-I模型におけるサーマル・ステップ・バンチング(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 遷移金属(薄膜)-Si(基板)系における(埋もれた)界面の電子状態とその構造
- 12a-DC-6 Feシリサイド価電子帯の軟X線分光法による評価
- 27a-ZS-10 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存症 (II) : 高温熱処理により形成されるシリサイド層の評価
- 27a-ZD-6 Niシリサイド形成過程におけるSi基板方位依存性
- 7p-H-7 斜方晶SnBr_2の吸収端スペクトル
- 29p-BPS-55 MEIS、AES、RHEEDによるCu/Si(111)の成長過程II
- 27aPS-52 真空紫外用蛍光体GdBO_3:Pr^,Eu^、GdBO_3:Er^,Tb^の光学特性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 24aPS-68 Tl^+を添加したKH_2PO_4の光学特性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
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