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大阪電気通信大学工学部電気電子工学科 | 論文

• 放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価
• 低価格に適したX線検出素子(Silicon Drift Detector)の提案(シリコン関連材料の作製と評価)
• 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化(シリコン関連材料の作製と評価)

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