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大阪大学 産業科学研究所 | 論文
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- TlInGaAs系新半導体の成長とTlInGaAs/InPダブルヘテロ構造での室温レーザ発振(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 金属基板上に成長した多結晶GaNからの電界電子放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 新磁性3-V族半導体の創製と新機能デバイス応用の研究 (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
- 室温透明強磁性半導体の創製と半導体スピントロニクス
- タリウム系新混晶半導体による, 発振波長の温度変化がない半導体レーザーの実現をめざして
- TlInGaAs/InP ダブルヘテロ構造LED
- 希薄磁性半導体InMnAsSbの結晶成長とその光誘起磁性
- TlInGaAs/InPダブルヘテロ構造LED
- 27aXA-5 高圧下におけるアルカリハライド不純物中心のスピン軌道相互作用
- Gas-SourceMBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
- MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
- Gas-Source MBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
- 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大
- GaP/InP 短周期超格子成長による自己形成量子構造
- タリウム系半導体の結晶成長 : 温度無依存バンドギャップ半導体の可能性
- 自己形成半導体量子構造と赤色発光量子デバイス (日本電子顕微鏡学会第43回シンポジウム論文集--21世紀へ向けての新技術の展開--平成10年10月28日(水)〜30日(金),千葉大学けやき会館〔含 著者名索引〕) -- (新デバイス材料開発技術の最前線)
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