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大阪大学基礎工学部電気工学科 | 論文
- セラミックスの評価法-4-(1)薄膜の配向性・欠陥及び基板(セラミックス基礎工学講座)
- 25pYJ-2 ピコメータで制御されたBiFeO_3格子の巨大分極(強誘電体格子系の精密制御法と新物性,領域10シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 実践的研究教育としてのインターンシップの取り組み
- 21pYN-5 マルチフェロイックBiFeO_3薄膜の作製と評価(領域10シンポジウム : 強誘電体薄膜および界面における新しい現象とその応用,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 強誘電体薄膜を用いた電子デバイス
- Superconducting Applications of Niobium, O.N.Carlson(編), 1988年, Elsevier Applied Science Pub.発行, 24.8×17cm, 202ページ, £45
- 第1回ヨーロッパ極性誘電対応用会議/国際強誘電体応用シンポジウムに出席して
- Ion Beam Modification of Insulators, Paolo Mazzoldi and George W. Arnold (編), 1987年, Elsevier Science Pub. 発行, 245×165 mm, 740ページ, Dfl 350
- 1987年, North-Holland社発行, A5判, 412ページ, Dfl.220(疲労特集)
- 17pPSA-11 微細加工反強磁性層を有するスピンバルブ膜の電流磁気効果
- 磁性多層膜細線における静磁気的相互作用の研究
- 半導体レ-ザ-のピコ秒パルス発生
- 概論 (ピコ秒パルス光の測定(技術ノ-ト))
- He-Ne3.39μmレ-ザのモ-ド同期による超短パルス発生
- Y-Ba-Cu-O系超伝導体と電気光学結晶との反応性(セラミック材料小特集号)
- 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
- 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
- 28a-T-4 アンチドットを含む二次元電子系での量子ホール効果のブレークダウンとその不安定現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果ブレークダウン現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果のブレークダウン現象
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