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基礎工 | 論文
- 6a-LT-17 グロー放電法a-Siの基礎特性 II
- 3p-BJ-13 グロー放電法 a-Si の基礎特性
- 24aYJ-7 固体H_2Sの高圧下ラマン散乱 II
- 4a-BB-13 原子核の軌道電子捕獲崩壊過程を用いたエレクトロンニュートリノの質量の測定 (IV)
- 4p-P-15 V_2H単結晶の機械的性質
- 4a-Q-4 V_2Hの応力誘起相変態
- 31p GE-10 イオンビーム誘起オージェ電子分光によるa-Si膜中のHの三次元分布
- 6a-LT-16 GD-a-Siのcharacterization I
- Nbのトンネル効果 : 低温
- NbのMagnetization : 低温
- DPPHの電気伝導 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
- 3p-Q-12 バナジウム中の応力による水素溶解度変化
- 29a-R-1 V_2H(D)規則格子におけるX線反射強度の温度依存
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- 2a-SG-11 バナジウム中の重水素によるX線散漫散乱
- 2a-SG-10 V_2H(D)単結晶のX線構造解析
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- 31a-U-8 バナジウム中の水素によるX線散漫散乱II
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