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名大 工 | 論文
- n-inSbのImpact ionization : 半導体(不純物伝導)
- 4a-H-5 n-InSbの音響電気効果によるマイクロ波輻射II
- 4a-H-4 n-InSbに於ける音響電気効果とマイクロ波輻射 I
- 15a-K-2 超強磁場に於るn-InSbからのマイクロ波発振
- 15a-K-1 n-InSbに於る低周波振動(Acoustoelactric Osc.)とマクロ波輻射
- n-InSbの強電場効果(III) : 半導体 : ダイオード,不安定
- TV, VTR付超高圧電顕による転位運動の連続観察 (Fe-Si合金) : 格子欠陥
- テレビ電顕とVTRの組合せによる転位運動の連続記録と解析 : 格子欠陥
- 2a-NA-11 スピングラスの統計力学的理論
- 31a-W-25 スピングラス問題の新しい取扱い II
- 結晶成長に関するゴードン会議(Gordon Research Conference on Crystal Growth)に参加して : 国際会議報告
- 4p-K-2 Mixed CrystalのBand Edge変化と伝導度
- HClを用いた閉菅法によるGaAsの気相生長 III : 結晶成長
- Siの選択成長 III : 結晶成長
- 15a-L-9 Geの気相成長膜中のimperfection centreの分布 III
- 15a-DH-4 RHEEDによるSi(111)√×√-Ag表面の構造解析
- 11p-M-8 遍歴電子反強磁性体におけるスピン波による電気抵抗
- 固液境界の決定 IV : 結晶成長
- 6a-R-7 径方向電界によるイオン加熱の時間経過とその機構
- 31p-YH-6 La_Nd_yBa_xCuO_4の低温相の構造と輸送特性