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名大理物理 | 論文
- 2a-E-3 GaP表面のレーザー刺激脱離における吸着原子効果
- 2a-E-2 レーザー刺激脱離による半導体表面欠陥のキャラクタリゼーション
- 2p-T-7 レーザー誘起原子放出と表面電子状態
- 2p-T-6 レーザースパッタリングによるGaP表面低濃度欠陥の検出
- 2p-N-5 化学物半導体表面の高密度電子励起による原子放出-実験
- 5p-W-2 GaP表面のレーザースパッタリング : 偏光特性
- 5p-W-1 GaP表面のレーザースパッタリング : 表面状態依存性
- 29a-O-4 レーザー誘起GaP表面原子放出の共鳴イオン化法による測定
- 28p-Z-1 Gap(110)表面からのレーザー誘起原子放出 : 微量Ga原子吸着の効果
- RetinalのCis-trans Isomerization
- 天体現象とν(「Neutrino Astronomy」研究会報告)
- 14p-H-10 電子顕微鏡像に見られるいわゆる異常透過に反する現象
- 隠居の直言 中教審の答申への一意見
- 教育に関する一言
- 日本人の独創性--素人の放談 (国際化時代の応用物理) -- (独創的研究への提言)
- 私の教育論 (計測制御・応用物理一般)
- 宝探しの二つの方法 (〔応用物理〕創刊50周年記念特集号)
- 超微粒子研究の生い立ちと将来展望
- 電子顕微鏡による原子像のコントラスト--普通型と走査型との比較 (Electron Microscopy 1976(東昇教授定年退官記念シンポジウム))
- 指導要領と教師の自主性