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名大理物理 | 論文
- 12a-DH-3 NaCl(100)表面からの電子励起によるNa原子放出の理論的研究
- 1a-G-2 GaP(110)におけるレーザー誘起Ga原子放出の励起スペクトル
- 1a-G-1 NaCl清浄表面の電子励起による原子放出(その3) : 共鳴イオン化法を用いた高感度測定
- 29p-PSB-19 表面欠陥に起因するレーザー誘起電子放出
- 28p-Z-4 化合物半導体表面の赤外自由電子レーザーによるアブレーション
- 28p-Z-3 GaAs(110)表面からのレーザー誘起電子放出
- 正誤Hを吸蔵したPd試料の安定化
- Hを吸蔵したPd試料の安定化(研究速報)
- 29p-PS-30 半導体表面のレーザーダメージ初期過程
- 29p-PS-26 半導体表面欠陥を媒介とするレーザー誘起原子放出機構
- 27p-ZS-12 GaAs(110)表面におけるレーザ誘起原子放出の励起スペクトル
- 27p-ZS-11 GaP(110) 表面のレーザー誘起原子放出 : アルカリ金属吸着による抑制効果
- 29p-BPS-44 レーザー誘起原子放出における表面処理の効果
- 28a-E-6 GaAs(110)表面欠陥からのレーザー誘起Ga原子放出
- 28a-E-5 GaP(110)表面のレーザー刺激脱離 : 励起波長依存性
- 27a-R-4 レーザースパッタリングによるGaP表面アルカリ不純物の高感度測定
- 27a-R-3 GaPの表面高密度励起による原子放出 : 2次元、3次元励起の差異
- 24a-PS-15 GaP(110)表面のおける微量欠陥と吸着酸素原子との相互作用
- 5a-PS-4 飛行時間型質量分析法によるGaP表面レーザー刺激脱離の高感度測定
- 5a-PS-3 GaP表面におけるレーザー刺激脱離の温度効果