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名大理物理 | 論文
- 26p-P-4 TEDによるBragg反射励起を利用した表面構造解析 : Si(111)√×√- Agへの適用
- 2a-N-8 表面接触入射X線回折法(そのII)
- 3p-TG-7 Cr-真空蒸着膜におけるS-相の生成条件
- 2D1345 クロロフィルdを用いる光合成反応中心の励起移動と電荷移動(18.光生物(B)光合成,一般演題,日本生物物理学会第40回年会)
- 15pTA-4 アーキロドプシンとバクテリオロドプシンの構造比較(生物物理, 領域 12)
- 27aN-2 バクテリオロドプシンM中間体の低温X線結晶構造解析
- 29p-Z-21 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 2
- 29p-Z-20 半導体表面2次元系における光誘起構造変化 1
- レーザー・ビームと非金属固体表面との相互作用
- 31p-J-8 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 31a-S-5 半導体表面上の微量欠陥からのレーザー誘起電子放出
- 30p-S-5 電子励起による半導体表面欠陥原子結合の切断
- 28p-PSB-17 レーザー照射によるSi(100)表面からのSi^o原子放出とSi^+イオン放出との比較
- 28p-PSB-16 Si(100)清淨表面におけるレーザー誘起Si^o原子放出の励起スペクトル
- 5a-R-6 半導体におけるレーザー誘起原子放出の励起スペクトル
- 5a-R-5 Si(111)7×7表面のサイト選択性レーザー誘起原子放出
- 5a-R-4 Si(100)表面に吸着したSi原子からのレーザー誘起原子放出
- 29a-WC-6 Ga(100), (110)表面からのレーザー誘起原子脱離
- 13a-PS-52 半導体のレーザー誘起表面損傷における電子的過程
- 12a-DH-4 Si(100)清浄表面からの欠陥を媒介としたレーザー誘起原子放出